富士通有限公司和富士通實(shí)驗(yàn)室有限公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)出一種晶體結(jié)構(gòu)，可以增加氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）中的電流和電壓。該結(jié)構(gòu)可以有效地使用于微波頻帶中的發(fā)射器的晶體管的輸出功率增加三倍。

富士通開(kāi)發(fā)出的新的GaN晶體管結(jié)構(gòu)

　　富士通新的氮化鎵（GaN）晶體結(jié)構(gòu)通過(guò)將施加的電壓分散到晶體管中來(lái)改善工作電壓，從而防止晶體管被損壞（其專(zhuān)利正在申請(qǐng)中）。該技術(shù)使得GaN器件能夠?qū)崿F(xiàn)被認(rèn)為是采用氮化銦鋁鎵（InAlGaN）阻擋層的GaN HEMT的19.9 W / mm柵極寬度的目前世界上最高的功率密度。
　　GaN HEMT技術(shù)可用作氣象雷達(dá)應(yīng)用中的設(shè)備的功率放大器。將開(kāi)發(fā)的技術(shù)應(yīng)用于該領(lǐng)域中，預(yù)計(jì)雷達(dá)的觀測(cè)范圍將擴(kuò)大2.3倍，能夠及早地發(fā)現(xiàn)可能會(huì)發(fā)展成暴雨的積雨云。

富士通開(kāi)發(fā)出的新的GaN HEMT的功率密度創(chuàng)造了新的記錄

　　富士通和富士通實(shí)驗(yàn)室將對(duì)使用該技術(shù)的GaN HEMT功率放大器的耐熱性和輸出性能進(jìn)行評(píng)估，目標(biāo)是將這種高輸出功率，高頻GaN HEMT功率放大器商業(yè)化，用于雷達(dá)系統(tǒng)等應(yīng)用，包括氣候雷達(dá)以及到2020財(cái)年的5G無(wú)線通信系統(tǒng)中。