近日，紫光集團(tuán)聯(lián)席總裁刁石京透露，中國(guó)首批擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層3D NAND閃存芯片將于今年第四季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　刁石京表示，中國(guó)芯片技術(shù)落后于世界，但自主研發(fā)的腳步始終沒有停止，兩代芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后將縮短與美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家在存儲(chǔ)芯片上的差距。

　　同時(shí)，刁石京介紹，目前，芯片生產(chǎn)設(shè)備正在進(jìn)行安裝調(diào)試，今年第四季度，32層3D NAND閃存芯片將在一號(hào)芯片生產(chǎn)廠房進(jìn)行量產(chǎn)。此外，64層3D NAND閃存芯片研發(fā)也在緊鑼密鼓地進(jìn)行，計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

　　值得一提的是，長(zhǎng)江存儲(chǔ)此前已透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將于8月份在美國(guó)舉行的閃存峰會(huì)（FMS）上首次公布新型3D NAND架構(gòu)Xtacking技術(shù)。據(jù)稱，該技術(shù)可將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。

　　作為國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)項(xiàng)目基地，長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2016年7月26日在武漢新芯集成電路制造有限公司的基礎(chǔ)上正式成立，總投資金額達(dá)240億美元。

　　2016年12月底，由長(zhǎng)江存儲(chǔ)主導(dǎo)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地正式動(dòng)土，官方預(yù)期分3階段，共建立3座3D NAND Flash廠房。第一階段廠房已于2017年9月完成興建，預(yù)定2018年第3季開始移入機(jī)臺(tái)，并于第4季進(jìn)行試產(chǎn)，初期投片不超過1萬片，用于生產(chǎn)32層 3D NAND Flash產(chǎn)品，并預(yù)計(jì)于自家64層技術(shù)成熟后，再視情況擬定第2、3期生產(chǎn)計(jì)劃。

　　2017年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成功研制了中國(guó)大陸第一顆3D NAND閃存芯片，不僅獲得了中國(guó)電子信息博覽會(huì)(CITE2018)金獎(jiǎng)，并力爭(zhēng)憑創(chuàng)新實(shí)力成為世界一流的3D NAND閃存產(chǎn)品供應(yīng)商。

　　據(jù)了解，這顆3D NAND閃存芯片耗資10億美元，由1000人團(tuán)隊(duì)歷時(shí)2年自主研發(fā)，是中國(guó)主流芯片中研發(fā)制造水平最接近世界一流的高端存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)了中國(guó)存儲(chǔ)芯片“零”的突破。

　　2018年5月19日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的首臺(tái)光刻機(jī)已運(yùn)抵武漢天河機(jī)場(chǎng)，設(shè)備相關(guān)的海關(guān)、商檢及邊防口岸的相關(guān)手續(xù)辦理完成后，即可運(yùn)至長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠。據(jù)集微網(wǎng)獨(dú)家消息，這臺(tái)光刻機(jī)為ASML的193nm浸潤(rùn)式光刻機(jī)，售價(jià)7200萬美元，用于14nm~20nm工藝。這也從側(cè)面透露了長(zhǎng)江存儲(chǔ)3D NAND閃存芯片的工藝制程。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)的第一臺(tái)光刻機(jī)，陸續(xù)還會(huì)有多臺(tái)運(yùn)抵。

　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)兼長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)強(qiáng)調(diào)，未來十年，紫光計(jì)劃至少將投資1000億美元用于長(zhǎng)江存儲(chǔ)項(xiàng)目研發(fā)，相當(dāng)于平均每年投入100億美元。而紫光集團(tuán)全球執(zhí)行副總裁暨長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行董事長(zhǎng)高啟全也曾透露，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計(jì)10776顆芯片，將用于8GB USD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品。