意法半導體積極開發(fā)與航天應用相關的抗輻射產(chǎn)品組合，推出兩款并聯(lián)式基準電壓芯片（shunt Voltage References）。RHF1009A是一款可在2.5V至5.5V范圍內(nèi)調(diào)整電壓的基準電壓芯片；而RHF100則是一款維持1.2V固定電壓的基準電壓解決方案。這兩款基準電壓芯片特別為航天應用領域設計，具有可抵抗強烈太空輻射的高耐受度，引腳與市面上的同類工業(yè)標準的產(chǎn)品相容。兩款產(chǎn)品均已通過了美國航天局 （DLA） 的 QML-V 認證，并因其穩(wěn)定優(yōu)秀的性能，被正式收入歐洲航天元器件優(yōu)選目錄 （EPPL， European Preferred Parts List） ，可供歐洲航天硬件及相關設備廠商選購。

兩款器件都采用意法半導體的250nm BiCMOS 制造技術，此項技術的高可靠性經(jīng)過多年量產(chǎn)的消費性電子芯片和要求更嚴格的航天、汽車和醫(yī)療 設備芯片以及其他抗輻射產(chǎn)品（如模數(shù)轉(zhuǎn)換器）的檢驗。

這兩款器件具有多項優(yōu)異性能，包括僅5 ppm （典型值）的溫度系數(shù)，經(jīng)由激光校對可達 +/- 0.15% 的精 確度，以及器件之間卓越的溫度曲線匹配性；而寬達40μA至12mA的陰極電流范圍，可確保在維持靈活性的同時保證精 確度和穩(wěn)定性。

除優(yōu)異的電氣性能外，兩款新產(chǎn)品還兼具同級最佳的抗電離總劑量 （TID， Total IonizaTIon Dose） 和單粒子效應 （SEE， Single Event Effect） 的抗輻射性能，無ELDRS 效應高達 300krad （在劑量率達到很高水平時，芯片的主要參數(shù)仍可保持穩(wěn)定），完全不受單粒子閉鎖效應 （Latch-up） 的影響 （在120 MeV.cm2/mg / 125°C下仍不發(fā)生單粒子閉鎖效應），發(fā)生單粒子瞬變效應的概率極低 （截面SET Cross secTIon 《 3.10-4） 。輻射效應持續(xù)時間極短，且幅度很低。