Intell發(fā)布的首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過前第一代64層QLC閃存的良率只有48%......

　　本月初Intel發(fā)布了首款消費級QLC固態(tài)硬盤——660p，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，不過近日有消息稱，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%。　

      Intel“SSD 660p”的定位將介乎在600p及700p之間，采用全新的主控制器及64層堆疊的QLC NAND顆粒，提供512 GB，1 TB，2 TB容量可供選擇。SSD 660p專用PCI Express 3.0 x4而設(shè)計，采用M.2 2280規(guī)格，讀取傳輸速度高達1800 MB / s，寫入的傳輸速度為1100 MB / s，4k隨機讀取和寫入為150,000 IOPS。

　　660P搭載了慧榮SMI2263主控，帶有DRAM緩存，主控是慧榮SMI2262EN的工藝改良版，并且由Intel自主編寫固件。采用來自Intel和美光合資的IMFlash工廠的4bit QLC閃存。

        Intel 660P采用M.2 NVMe接口，支持PCIe 3.0 x4通道，Intel官方給出的數(shù)據(jù)顯示，性能上達到主流M.2 NVMe的水準，最高連續(xù)讀寫速度可達1800MB/s。

　　同時，價格相當給力，512GB賣99.99美元(約合683元)。

　　與TLC相比，QLC NAND Flash的儲存容量將可增加33%，單顆晶片最高可達到256GB或512GB，P / E循環(huán)約為1000次左右略低于TLC，在壽命，速度及穩(wěn)定性方面QLC雖然比TLC更低，但就勝在容量更大及擁有更便宜的成本。

　　不過有消息稱，目前第一代64層QLC閃存的良率只有48%，也就是生產(chǎn)出來的成片過半報廢。對比之下，64層TLC閃存的良率已經(jīng)達到了90%以上。

　　這意味著，4bit QLC看似容量密度提高了，但實際成本是高于3bit TLC的。

　　更糟糕的是，消息人士稱，Intel第一代QLC閃存糟糕的良率將伴隨整個生命期。

　　此外英特爾還準備了SSD 760p系列，M.2 2280規(guī)格，64層TLC NAND閃存，提供128GB，256GB，512GB，1TB，2TB容量，性能更高一個檔次，持續(xù)讀寫可達3.2GB / s， 1.6GB / s，隨機讀寫可達35萬IOPS，28萬IOPS，并支持AES-256硬件加密，5年產(chǎn)品保固。其中128GB至1TB今年12月份發(fā)布。

　　英特爾和美光除了推出64層QLC提高技術(shù)優(yōu)勢，還曾表示第三代3D NAND技術(shù)（96層）的開發(fā)將于2018年年底或2019年初交付。